NVD4806NT4G-VF01 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
NVD4806NT4G-VF01
|
|
حجم فایل
|
92.853
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
onsemi NVD4806NT4G-VF01
-
Operating Temperature:
-55°C~+175°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
1.4W;68W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
37nC@11.5V
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2142pF@12V
-
Continuous Drain Current (Id):
11.3A;79A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.5V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
6mΩ@30A,11.5V
-
Package:
DPAK-3
-
Manufacturer:
onsemi
